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MBR30H60CT中文资料

  • 大小:621.78KB
  • 厂家:SUNMATE/森美特
  • 描述:Notes: 1. Thermal resistance from junction to case. RATINGS SYMBOL UNIT Maximum repetitive reverse voltage VRRM V Maximum RMS voltage VRMS V Maximum DC blocking voltage VDC V Maximum average forward current per device IAV A per diode Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave IFSM A Typical thermal resistance (Note 1) Rθ-JC °C/W Operating junction temperature range TJ -55 to +175 °C Storage temperature range TSTG -55 to +175 °C Maximum forward voltage at IF=15A VF V Maximum average reverse IR 0.01 mA 8 TJ=25°C TJ=125°C -55 to +150 0.10 15 30 15 40 28 40 45 32 45 60 42 60 100 70 100 150 105 150 200 140 200 280 per leg 0.65 0.75 0.85 0.95 MBR 30H40CT 2.0 superimposed on rated load current at rated DC blocking voltage MBR 30H45CT MBR 30H60CT MBR 30H100CT MBR 30H150CT MBR 30H200CT MBR30H40CT - MBR30H200CT TO-220AB ?3.84±0.15 2.74±0.15 10.0±0.2 15.25±0.3 1.3±0.2 0.8±0.2 2.54±0.1 13.6±0.3 9.0±0.2 1.27±0.10 4.5±0.2 2.5±0.2 0.38±0.10 PIN1 PIN3 PI

MBR30H60CT供应商

更新时间:2022-12-31 05:53:24
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